C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
清水 直文
NTT光ネットワークシステム研究所
-
古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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