GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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GaAsSbにCドープする際に、CBr_4がGaAsSbの成長に与える影響について検討を行った。CBr_4を添加すると、エッチング作用によりGaAsSbの成長速度が低下し、また、GaAsSb中のGa・AsサイトとGa-Sbサイトとで、成長速度の低下率に差があるために組成がAs richになる事が明らかになった。CドープGaAsSbのホール濃度の熱的安定性について調べたところ、アニール後にホール濃度の増加が見られた。増加を生じさせる反応の活性化エネルギーを求め、SIMSによるアニールによる結晶内水素濃度の測定結果から、CドープGaAsSbにおいても水素によるCアクセプタ不活性化が生じていると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-17
著者
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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