C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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MOCVD成長したC-doped GaAsSbにおける、Cアクセプタの水素不活性化について検討を行った。アニールによるホール濃度の増加と結晶内の水素濃度変化との比較により、CドープGaAsSbにおいても水素によるCアクセプタ不活性化が生じている事を明らかにした。しかしながら、C-doped GaAsSbの水素不活性化はInGaAsやGaAsよりも小さいことも見出した。水素不活性化は成長温度に強く依存し、成長温度を525℃以上にすることでC-doped GaAsSbの水素不活性化をほぼ0にすることが可能である事を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
佐藤 理夫
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
渡邉 則之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
内田 昌宏
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
内田 昌宏
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
佐藤 理夫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
杉山 弘樹
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
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