MOCVDを用いた歪み系In_<0.8>Ga_<0.2>As/AlAs RTDの高性能化
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概要
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3インチ半絶縁性InP基板上に有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて共鳴トンネルダイオード(RTD)構造を作製した。作製したRTDはIn_<0.8>Ga_<0.2>AsとAlAsからなる二重障壁量子井戸構造を有することを特徴としている。ピーク電流密度(jp)、ピーク電圧(Vp)、ピーク/ヴァレイ電流比(PVR)はそれぞれ、1.0×10^5A/cm^2,0.39V, 3.7であった。我々の知る限り、MOCVD法により作製されたInGaAIAs系RTDの中で1.0×10^5A/cm^2台の高jpと共に、低Vpと比較的大きいPVRを同時に実現したRTDの報告は今回が初めてである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大坂 次郎
名古屋大学工学部
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
杉山 弘樹
日本電信電話
-
松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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