大坂 次郎 | 名古屋大学工学部
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概要
関連著者
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大野 雄高
名大工
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
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西浦 政人
名古屋大学工学部
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沖野 徹
名古屋大学工学部
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山本 眞史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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杉山 弘樹
日本電信電話
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水谷 孝
名古屋大学
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岸本 茂
名古屋大学
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
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伊藤 敏洋
NTTフォトニクス研究所
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前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
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明吉 智幸
NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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尾辻 康一
九州工大
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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和保 孝夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大坂 次郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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和保 孝夫
Nttフォトニクス研究所:(現)上智大学理工学部電気・電子工学科
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
前澤 宏一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大阪 次郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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横山 春樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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前澤 宏一
NTT System Electronics研究所
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松崎 秀昭
NTT System Electronics研究所
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荒井 邦博
NTT System Electronics研究所
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明吉 智幸
NTT System Electronics研究所
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大坂 次郎
NTT System Electronics研究所
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尾辻 泰一
NTT System Electronics研究所
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山本 眞史
NTT System Electronics研究所
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荒井 邦博
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
著作論文
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 共鳴トンネル3値量子化回路を用いた超高速アナログ・デジタル変換器
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 共鳴トンネルダイオード/HEMT集積回路技術
- SCFL型出力バッファをもつ高速共鳴トンネルフリップフロップ回路
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いた高速・低消費電力フリップフロップ回路