杉山 弘樹 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 松崎 秀昭

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 松崎 秀昭

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 横山 春喜

  Nttフォトニクス研

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 鈴木 左文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• Asada Masahiro

  The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 鈴木 左文

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 井田 実

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 寺西 豊志

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 小杉 敏彦

  NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 理夫

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 渡邉 則之

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 内田 昌宏

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 大坂 次郎

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 和夫

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTアドバンストテクノロジ

• 大坂 次郎

  名古屋大学工学部

• 末光 哲也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 内田 昌宏

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  Ntt フォトニクス研

• 佐藤 理夫

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 星 拓也

  日本電信電話

• 井田 実

  日本電信電話

• 栗島 賢二

  日本電信電話

• 枚田 明彦

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 久々津 直哉

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 高橋 亮

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高橋 宏行

  NTTマイクロシステム研究所

• 松崎 秀昭

  NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  NTT フォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTT フォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  NTT フォトニクス研究所

• 渡辺 和夫

  NTT フォトニクス研究所

• 中原 達志

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 高橋 宏行

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 浦田 涼平

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 石川 裕士

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 高橋 亮

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 枚田 明彦

  日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 久々津 直哉

  NTTマイクロインテグレーション研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 松崎 秀昭

  NTTフォトニクス研

• 栗島 賢二

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本大学生物資源科学部

• 澤田 清仁

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 白石 誠人

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 榎木 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小林 隆

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 和田 一実

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 杉山 弘樹

  NTT LSI研究所

• 篠原 正典

  NTT LSI研究所

• 谷本 正文

  NTT LSI研究所

• 村田 浩一

  神戸市立王子動物園

• 村田 浩一

  日本大学生物資源科学部動物資源科学科野生動物学研究室

• 竹ノ内 弘和

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話(株)ntt Lsi研究所

• 瀬川 徹

  Nttフォトニクス研究所

• 篠原 正典

  Nttマルチメディア事業部

• 瀬川 徹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 中島 裕樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 須崎 泰正

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 馬渡 宏泰

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 西原 晋

  日本電信電話(株) NTTアクセスサービスシステム研究所

• 馬渡 宏泰

  NTTフォトニクス研究所

• 中島 裕樹

  NTTフォトニクス研究所

• 日向 健介

  東京工業大学

• 村田 浩一

  日本大学 生物資源科学部

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 須崎 泰正

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 須崎 泰正

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 谷本 正文

  Ntt基礎技術総合研究所

• 井田 実

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研

• 瀬川 徹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 西原 晋

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西原 晋

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 佐藤 宏

  日産自動車

• 中原 達誌

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 静野 薫

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 中原 達志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• Takenouchi Hirokazu

  Ntt Photonics Labs. Ntt Corporation

• 馬渡 宏泰

  Ntt フォトニクス研

• 佐藤 宏

  日産自動車株式会社総合研究所

• 中村 光範

  日産自動車株式会社総合研究所

• クライソン トロンナムチャイ

  日産自動車株式会社総合研究所

• 濱田 裕史

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 竹ノ内 弘和

  日本電信電話株フォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

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著作論文

• スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
• C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
• InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
• MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
• C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
• CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
• C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• B-12-21 Low-Power, Low-Latency ,4x4 Optical Packet Switching of Asynchronous Optical Packets with a 4x4 Label Processing and Switching Sub-System
• 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
• 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
• InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
• MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• 高精度半導体結晶成長制御技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (特集 NTT R&Dのオープンイノベーションをリードする大学連携)
• C-3-36 差動型光クロックトランジスタアレイを用いたパラレルシリアル変換回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
• MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• C-10-8 F帯フルカバースペクトル分析に向けたMMICミキサ回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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