MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの低消費電力化が求められている。低消費電力化のためには、ICを構成するヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の単体での動作電圧を下げることが望ましい。InGaAsSbはInPとタイプIIヘテロ接合を形成する狭バンドギャップ材料であり、これをベース層に用いたHBTは、既存のInGaAsベースHBTと比較して低電圧動作化が期待できる。そこで我々は、有機金属化学気相堆積により、CドープInGaAsSbベース層を有する低ターン・オン電圧動作HBTを実際に作製した。フォトルミネッセンス法により、固相In組成の増大に対して、アンドープInGaAsSb薄膜が狭バンドギャップ化していることを確認した。また作製されたHBTは、固相In組成の増大に伴って低ターン・オン電圧化していることを確認した。PL測定の結果とHBTターン・オン電圧との強い相関性は、ターン・オン電圧がベース層のバンドギャップに強く依存していることを示唆する結果である。本検討により、In_<0.22>Ga_<0.78>As_<0.73>Sb_<0.27>ベースHBTにおいて、これまでの報告の中でも最も低いターン・オン電圧は0.35V(@J_c=1A/cm^2)が得られた。また、固相In組成増大に伴うエミッターベース界面の伝導帯オフセット量の減少により、電流利得特性が向上することも確認した。
- 2012-01-04
著者
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
星 拓也
日本電信電話
-
井田 実
日本電信電話
-
杉山 弘樹
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
関連論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-12-21 Low-Power, Low-Latency ,4x4 Optical Packet Switching of Asynchronous Optical Packets with a 4x4 Label Processing and Switching Sub-System
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- 高精度半導体結晶成長制御技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (特集 NTT R&Dのオープンイノベーションをリードする大学連携)
- C-3-36 差動型光クロックトランジスタアレイを用いたパラレルシリアル変換回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムヘ向けて (電子デバイス)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (マイクロ波)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (電子デバイス)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ