B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中村 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- C-12-7 データパタン無依存10Gbit/sCDRIC
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
- C-12-19 相比較の三値化によるCDR回路のジッタ抑圧
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
- C-10-6 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-12 単電圧制御で360°移相可能なベクトル合成型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 (マイクロ波)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 (電子デバイス)
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (マイクロ波)
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高信頼InP-HBT集積回路製造技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (電子デバイス)
- C-10-12 超高速DACのダイナミック特性向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-5 ベクトル合成型移相器ICの広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-10-37 高速DACを用いた171 Gb/s PDM 16-QAMの1440km伝送(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-10-14 光多値伝送に向けた高速D/A変換器モジュール(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-10-6 エミッタ・ベース接合付近に高濃度n型ドープ薄層を有するO.5μmエミッタInP HBTの信頼性について(C-10.電子デバイス,一般セッション)