C-10-6 エミッタ・ベース接合付近に高濃度n型ドープ薄層を有するO.5μmエミッタInP HBTの信頼性について(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-09-03
著者
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
武藤 美和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
武藤 美和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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