柏尾 典秀 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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山田 英一
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山田 英一
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
武藤 美和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
菊池 順裕
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
武藤 美和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
脇田 斉
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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長谷 宗彦
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
著作論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-6 エミッタ・ベース接合付近に高濃度n型ドープ薄層を有するO.5μmエミッタInP HBTの信頼性について(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
- InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)