深井 佳乃 | 日本電信電話(株)
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概要
関連著者
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柏尾 典秀
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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井田 実
日本電信電話
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTエレクトロニクス(株)
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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NTTエレクトロニクス(株)
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話
著作論文
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)