栗島 賢二 | Nttフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話
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柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
NTTフォトニクス研
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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柏尾 典秀
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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井田 実
NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
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井田 実
NTT情報流通基板研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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古田 知史
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所NTT未来ねっと研究所
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村田 浩一
神戸市王子動物園
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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福山 裕之
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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柴田 随道
NTTフォトニクス研究所
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武藤 美和
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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伊藤 敏洋
NTTフォトニクス研究所
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綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
Ntt フォトニクス研
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所
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堤 卓也
NTTフォトニクス研
著作論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高信頼InP-HBT集積回路製造技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 高速InP-IC向け基板貫通グランドグィア形成プロセス技術