高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(<特集>化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
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概要
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40Gbit/s光通信システム実用化に向けて開発が進められているInP HBTに対して表面再結合電流の発生を抑制できるレッジ構造の有効性を確認した.この構造の加速寿命試験により,電流利得が緩やかに減少するモードの活性化エネルギーは1.7eVであること,125℃に外挿したデバイス寿命は1×10^8時間以上であること,更にこの劣化は2mA/μm^2まで動作電流密度に依存しないことが分かった.これにより高速化設計を可能とする高電流密度での高信頼化が確認できた.また電流利得の劣化の機構を解析し,突然劣化はエミッタ厚の厚層化により抑制可能なことが判明し,除去可能となった.以上の結果より我々のInP HBTが実用化に向けて十分な信頼性を有することが確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
日本電信電話(株)
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
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