InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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Cold FETとしてInP HEMTを使用したSP8Tスイッチと三層配線プロセスで構成した伝送線路を組み合わせた8×8スイッチマトリクスMMICについて述べる。従来構成と比較して所要SP8Tスイッチ数、伝送線路数および配線交差数を削減できる回路構成により、0.4mm^2の領域に8×8スイッチマトリクスを実現する。低ON抵抗かつ低OFF容量のInP HEMTを適用することにより、シリーズ構成で直流から10GHz以上の広帯域で動作するSP8Tスイッチを構成できる。試作したMMICは、10GHz以下の周波数で、挿入損失3.9dB以下、アイソレーション26.5dB以上の良好な特性を示し、12.5Gbit/sまでのデータ信号に対してエラーフリー動作を達成する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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