MMIC用3次元配線の耐湿性改善
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
耐湿性に優れたMMIC用3次元配線技術の実現を目指し、絶縁膜として用いている有機膜、及びAuと層間膜との密着性を向上するための密着用メタルの耐湿性を評価した。絶縁膜に関してはポリイミドと感光性BCBとを比較検討し、吸湿性の高いポリイミドにおいて、吸湿性の低いBCBより優れた耐湿特性を得た。この結果は、耐湿特性を考える上で吸湿性より透水性が重要であることを示唆していると考える。密着用メタルに関しては、W及びWNにおいて、WSi及びWSiNより良好な耐湿特性を得た。この結果はSiを含むメタルは酸化されやすいことを示唆していると考える。さらに絶縁膜にポリイミド、密着用メタルにW、または、WNを用いた3次元配線を製作し、85℃、85%相対湿度、通電有りの耐湿試験を行った結果、リーク電流及びコンタクト抵抗評価において1000時間無故障を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
石井 隆生
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
石井 隆生
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
石井 隆生
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
関連論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
- C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- 横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
- WSiN自己整合ゲ-トGaAs-MESFET技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- InGaP/InGaAs/GaAs-HMESFETの耐圧向上
- 0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- p-GaNショットキー接触のICTS評価
- 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線(光部品の実装,信頼性)
- 次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線(光部品の実装,信頼性)
- 次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線
- SC-9-5 超高速 OEIC パッケージ用チップ上光インタコネクション
- 超100 Gbit/s級OEICのためのチップ上光配線(WOW)構造
- 超100Gbit/s級OEICのためのチップ上光配線(WOW)構造
- C-2-46 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路2
- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- C-2-35 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路
- 超100Gbit/s級OEICに向けた光インターフェースとしてのチップ上光配線構造
- 超100Gbit/s級OEICに向けた光インタフェースとしてのチップ上光配線構造
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- C-2-7 V帯3次元MMIC1チップダウンコンバータ
- 20 Gbit/s動作スタティック識別器
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて
- 耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
- 超高速ICに向けた0.1μmGaAsMESFET技術
- 超小型MMIC用3次元配線技術
- U字形VIAを用いた厚膜ポリイミド多層配線の製作
- 新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
- 耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
- 超高速OE実装に向けたオンチップ光配線技術 (特集 光実装技術)
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術
- 3次元MMICプロセス技術 (特集論文 3次元マイクロ波集積回路技術--次世代超高周波/超高速ハ-ドウェアを支える先端技術)
- C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)