石井 隆生 | 日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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石井 隆生
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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石井 隆生
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
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石井 隆生
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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青山 真二
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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荒武 淳
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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明吉 智幸
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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荒武 淳
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川名 明夫
日本電信電話(株)基礎研究所
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青山 眞二
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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神部 信幸
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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川名 明夫
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
著作論文
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
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- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
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- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- SC-14-3 チップ上光配線付きOEICのフリップチップ実装技術(SC-14.光デバイス実装技術の展望)
- 3p-D2-11 イオン注入によるGaSeへの不純物添加効果(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)