3p-D2-11 イオン注入によるGaSeへの不純物添加効果(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
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石井 隆生
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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川名 明夫
日本電信電話(株)基礎研究所
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神部 信幸
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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川名 明夫
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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石井 隆生
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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