杉谷 末広 | Ntt フォトニクス研

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概要

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• 杉谷 末広

  Ntt フォトニクス研

• 杉谷 末広

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 杉谷 末広

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  日本電信電話(株)

• 杉谷 末広

  Ntt システム・エレクトロニクス研

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所

• 牧村 隆司

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 北林 博人

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  NTTフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社

• 塩島 謙次

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話(株)ntt Lsi研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 榎木 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社

• 菅原 裕彦

  NTTアドバンステクノロジ(株)

• 山崎 王義

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 村田 浩一

  NTTフォトニクス研究所

• 青山 真二

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 菅原 裕彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTエレクトロニクス(株)

• 小野寺 清光

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 杉谷 末広

  NTT LSI研究所

• 小野寺 清光

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 豊田 一彦

  日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所

• 平野 真

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 北林 博人

  NTTフォトニクス研究所

• 村口 正弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山崎 王義

  NTT LSI研究所

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• 村口 正弘

  NTTフォトニクス研究所

• 牧村 隆司

  NTTフォトニクス研究所NTT株式会社

• 北林 博人

  日本電信電話(株)環境エネルギー研究所

• 徳光 雅美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 西川 健二郎

  日本電信電話株式会社

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 牧村 隆司

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 小杉 敏彦

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 杉谷 末広

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 重川 直輝

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 徳光 雅美

  Ntt フォトニクス研

• 徳光 雅美

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス

• 石井 隆生

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 石井 隆生

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 青山 眞二

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一己

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一己

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 石井 隆生

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

• 西川 健二郎

  日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所

• 西川 健二郎

  NTT未来ねっと研究所

• 佐野 公一

  NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社

• 西川 健二郎

  京都大学生存圏研究所

• 西川 健二郎

  Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社

• Nishikawa Kenjiro

  Nippon Telegraph and Telephone corporation

• 菅原 裕彦

  NTTフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  NTT LSI研究所

• 西川 健二郎

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 平野 真

  NTT LSI研究所

• 入戸野 巧

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 豊田 一彦

  日本電信電話

• 豊田 一彦

  日本電信電話株式会社

• 入戸野 巧

  NTT LSI研究所

• 佐野 公一

  NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 松崎 秀昭

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 関 智弘

  日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所

• 酒井 士郎

  徳島大学工学部

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  日本電信電話(株)

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  NTTエレクトロニクス(株)

• 常川 光一

  日本電信電話株式会社 NTT未来ねっと研究所

• 関 智弘

  Ntt未来ねっと研究所

• 徳満 恒雄

  NTT

• 徳満 恒雄

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 田中 將義

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 上綱 秀樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 豊田 一彦

  NTT未来ねっと研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 井上 考

  NTT LSI研究所

• 日向 文明

  NTT LSI研究所

• 酒井 士郎

  徳島大 工

• 山崎 肇

  Ntt Lsi研究所

• 鴨川 健司

  NTTドコモ株式会社

• 田中 將義

  Ntt先端技術総合研究所

• 塩島 謙次

  NTT LSI研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 日向 文明

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 鴨川 健司

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 榎本 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 北林 博末

  日本電信電話株式会社

• 西村 一巳

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 青山 真二

  NTT LSI研究所

• 豊田 一彦

  NTTグループ事業推進本部

• 青山 眞二

  NTT LSI研究所

• 酒井 士郎

  徳島大学

• 小野寺 清光

  日本電信電話

• 井上 考

  Ntt

• 豊田 一彦

  NTT Electronic Technology Corp.

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 関 智弘

  日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 西村 一巳

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 北林 博人

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 松崎 秀昭

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

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著作論文

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• C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
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• 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
• 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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• AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• MMIC用3次元配線の耐湿性改善
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• 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
• 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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• C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
• InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
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• InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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• InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
• C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
• 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
• InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
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• 超小型3次元MMIC用配線形成技術
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• 3次元MMICプロセス技術 (特集論文 3次元マイクロ波集積回路技術--次世代超高周波/超高速ハ-ドウェアを支える先端技術)
• C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
• InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路

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