InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
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概要
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超高速光通信システムのキーデバイスとして開発中のInP HFETの高信頼化の検討について述べる.電極のメタルおよび真性部分の改良に伴う寿命向上の結果を示す.また, HFET の40-Gb/s ICの加速試験の結果と単体トランジスタとの関連を示す.
- 日本信頼性学会の論文
- 2002-11-25
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
日本電信電話(株)
-
牧村 隆司
NTTエレクトロニクス(株)
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話
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