60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
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概要
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本稿では低消費電力な60GHz帯低雑音増幅器(LNA)について報告する.本LNAに用いたデバイスは光通信向け高速ディジタル回路用に開発し,商用化している0.1μm InP HEMTである.試作した2段LNAMMICはゲート幅50μmのInP HEMTデバイス2個とコプレーナ線路で構成しており,チップサイズは0.9mm^2である. 0.4Vの動作電圧において, 60GHzにおける雑音指数2.86dB,利得12.3dBを達成している.この時の消費電力は5.6mWと超低消費電力であった.また,入力IP3は-9dBm, 3dB帯域幅は44.6GHz〜67.2GHzと良好な特性を得た.本報告では, InP HEMTデバイスがミリ波高速無線通信用の低電圧・低消費電力MMICの実現に有効であることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-24
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
-
西川 健二郎
京都大学生存圏研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社
-
西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
-
Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
豊田 一彦
日本電信電話
-
豊田 一彦
日本電信電話株式会社
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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