動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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概要
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40Gb/s光通信システム実用化に向けて開発が進められているInP HBTについて表面再結合電流の発生を抑制できるレッジ構造の有効性は確認されている。今回このInP HBTの信頼性を、動作電流密度への依存性に注目して高温通電により評価した。電流利得の緩い減少とその後突然故障にいたる二つの劣化モードが存在することがわかった。デバイスの寿命に効く劣化モードの活性化エネルギーは1.7eVで125℃に外挿した寿命は1×10^7時間であること、さらにこの劣化は動作電流密度に依存しないことが判った。以上の結果より我々のInP HBTが実用化にむけて十分な信頼性を有することが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-18
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
NTT情報流通基板研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研
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