非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
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概要
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本稿では、我々が開発している非セルフアライン型InP / InGaAs HBT技術について述べる。素子の作製精度がリソグラフィーで規定される非セルフアライン型プロセスは、複雑な作製工程を必要とするセルフアライン型プロセスと比較してその簡易性及び作製された素子の均一性 / 再現性といった観点から有利である。我々はこの非セルフアライン型HBTを用いてディジタル回路を作製し、識別器及び1:4デマルチプレクサにおいて40Gbit / sの、また1 / 4分周器において80GHzの超高速動作を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-22
著者
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
NTT未来ねっと研究所
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