六角形エミッタ形状超高速 InP/InGaAs DHBT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InPエミッタ層ウェットエッチングにおけるエッチング断面形状の結晶方位依存性を考慮し、順メサ形状によるエミッタ/ベース短絡を完全に回避できる六角形エミッタ電極を用いた新セルフアラインプロセスにより、優れた高周波特性を示すInP/InGaAs DHBTの製作に成功した。ペース層を45nm InGaAs/InPコレクタのベース近傍アンドープInGaAs層を150nmとしたDHBTで、f_T=228GHz、f_max=227GHzと高い値が得られた。特にf_Tはバイポーラトランジスタでは室温最高であり、ベース走行時間、コレクタ空乏層走行時間、エミッタチャージング時間を短縮した効果による。また、コレクタ中アンドープInGaAs層を300nmと厚くしたDHBTでは300GHzを越える高いf_maxが得られた。六角形エミッタ電極を用いることで、エミノタメサとベース電極間の寄生ベース抵抗、コレクタ容量が低減した効果である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
-
伊藤 弘
NTT LSI研 究所
-
山幡 章司
NTT LSI研究所
-
伊藤 弘
Ntt Lsi研究所
-
栗島 賢二
NTT LSI研究所
-
重川 直輝
NTT LSI研究所
-
松岡 裕
光エレクトロニクス研究所
関連論文
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- 低温成長半導体全光型スイッチを用いた超高速DEMUX
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 光遅延を利用した光ビート周波数制御
- 5.8GHz帯光給電無線アクセスポイントモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア端面入射屈折型フォトダイオード
- 1V_出力40 Gbit/sモノリシック受信OEIC
- 5.8GHz帯ファイバ無線用無給電無線アクセスポイントモジュール
- SB-4-7 高速光サブキャリア位相変調技術に基づくスペクトル拡散実験
- SC-3-3 マルチモードWGPDと分布型増幅器で構成した40Gbit/s受信OEIC
- ファイバ無線方式におけるDBR-MLLDの適用
- ファイバ無線方式におけるDBR-MLLDの適用
- B-5-261 光遅延スイッチによるミリ波帯光サブキャリア位相変調
- C-3-90 光サブキャリア多重伝送用光電ハイブリッドミクサ
- C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- InP/InGaAs DHBTにより構成された17Gbit/sモノリシックpin-PD/識別回路
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- InP/InGaAsHBTプロセスに完全整合する超広帯域pin-PD
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- C-10-20 エッチングストップ層を用いたレッジ付InP DHBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高性能高信頼性InGaP/GaAs HBT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-2-6 InGaP/GaAs HBTを用いた分布型増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- InP/InGaAs DHBTを用いた超高速受光OEIC
- 六角形エミッタ形状超高速 InP/InGaAs DHBT
- ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタによりモノリシックに集積されたpin-PD/識別回路
- サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
- InP/InGaAs HBTプロセスに完全整合した集積化受光回路
- ミリ波帯光サブキャリア伝送時の分散ペナルティの抑制
- EA変調器集積LDのミリ波光リンク応用
- 広帯域、高感度特性を有する低コスト端面入射屈折型フォトダイオードモジュール
- 40 Gbit/s 導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- 27a-C-9 InGaAs三元混晶における伝導電子状態に対する不規則効果
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高信頼InP-HBT集積回路製造技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- 多重反射の影響を考慮したSCFLインバータ遅延時間解析
- pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
- 超高速InP系ヘテロ構造デバイス技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- 有機非線形光学結晶の素子化における端面封止の効果
- InP/InGaAs DHBTを用いた1チップ20 Gbit/s受信IC
- InP/InGaAs DHBTを用いた40Gbit/s級受光OEIC
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)