C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
NTT光エレクトロニクス研究所
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
関連論文
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- 低温成長半導体全光型スイッチを用いた超高速DEMUX
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-13 SLD光源を用いた高画質ミリ波イメージング(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-7 ゼロバイアス送受信器による300GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア端面入射屈折型フォトダイオード
- 1V_出力40 Gbit/sモノリシック受信OEIC
- SC-3-3 マルチモードWGPDと分布型増幅器で構成した40Gbit/s受信OEIC
- B-5-261 光遅延スイッチによるミリ波帯光サブキャリア位相変調
- C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- C-14-9 インコヒーレントノイズ源を用いたミリ波イメージングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-3 フォトニクス技術を用いた300 GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
- GaAs MESFET ICを用いた10Gbit/s 1.3μm帯LDモジュールとAPDモジュール
- C-3-1 光周波数コム発生器を用いた10-110GHz周波数可変ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- B-5-146 60GHz帯ファイバ無線用モノリシック集積化ミリ波エミッター
- InP/InGaAs DHBTにより構成された17Gbit/sモノリシックpin-PD/識別回路
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 深い拡散による光ハイブリッド実装用プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の低電圧化
- 光ハイブリッド実装用高効率プレーナ導波路型pinフォトダイオード
- C-14-14 インコヒーレントテラヘルツ波発生の高効率化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-15 ショットキーバリアダイオードを用いたテラヘルツ連続波分光イメージングシステムの高速化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 分布利得ファイバを用いて非線形光学効果を抑圧した10Gbit/s、1600km伝送実験
- B-10-63 40Gbit/s光デュオバイナリ信号とゼロ分散フラット伝送路を用いた高密度WDM伝送
- B-10-62 光変型デュオバイナリ信号による光伝送
- 高結合効率、広トレランス導波路型フォトダイオード
- 光ハイブリッド実装用1.3μm導波路型フォトダイオード
- B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 低雑音・高出力1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯Pr添加ファイバ増幅器を用いた10Gbit/s伝送実験
- 低雑音・高出力1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- フィルタリングされた光ソリトンによる20Gbit/sパルス列の雑音成分の低減
- PM-AM変換効果を用いた分散変動検出による適応分散等化方式の検討
- 40Gbit/s多中継伝送系における分散等化方式の検討
- ゼロ分散フラット伝送路を用いた分散等化器不要な40 Gbit/s×10チャネルWDM伝送実験
- InP/InGaAs DHBTを用いた超高速受光OEIC
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
- ミリ波帯光サブキャリア伝送時の分散ペナルティの抑制
- EA変調器集積LDのミリ波光リンク応用
- 導波路型単一走行キャリアフォトダイオードを用いたミリ波の光伝送
- 広帯域、高感度特性を有する低コスト端面入射屈折型フォトダイオードモジュール
- 40 Gbit/s 導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 低電圧光ハイブリッド実装用高効率導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア・フォトダイオード駆動の光変調器を用いた40 Gbit/s デマルチプレクサ
- 4チャネル多重40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた160Gbit/s WDM伝送実験
- 広帯域光増幅器を用いた40Gbit/s TDM信号と20Gbit/s×4ch WDM信号の同期伝送
- 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いた識別回路直接駆動型40Gbit/s高感度受信回路
- クロックモニタを用いた自動分散等化方式の検討
- 光デュオバイナリ信号を用いた超高速光伝送システムの検討
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速伝送システムの受信特性における信号フォーマットの影響に関する検討
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-14-13 300GHz帯無線リンクにおけるダイオード受信器の感度特性(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-12 300GHz帯無線システムを用いた14Gbps伝送実験(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-29 単一走行キャリア端面人射屈折型フォトダイオードの偏波無依存化
- 長波長帯超高速モノリシック受信用OEIC
- 0.2μm GaAsMESFETを用いた10Gbit/s光デュオナイナリ用プリコーダIC
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 有機非線形光学結晶の素子化における端面封止の効果
- 導波路型pin-PDを用いた2チャネル受信用OEICの10Gbit/s動作
- 導波路型pinフォトダイオードを用いた10Gbit/s 2チャネル受信OEIC
- 超高速モノリシックPIN-HEMT及びモノリシック用レーザ
- C-14-6 光技術により発生した低コヒーレンス・テラヘルツ波の特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-5 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(2) : キャリア・ノイズ比が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-4 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(1) : 変調度が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)