深い拡散による光ハイブリッド実装用プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の低電圧化
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概要
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前回我々は、PCLを用いた光ハイブリッドモジュール用フォトダイオードの製作工程の簡素化をねらってZn拡散を用いたプレーナ導波路型フォトダイオードSIMPLE-WGPD(Selective-area Impurity-doped Planar Edge-coupled Waveguide Photodiode)を開発し、ハイメサ導波路型フォトダイオードと同等の特性が得られることを示した。今回光ハイブリッドモジュールの低消費電力化を目指して、Zn拡散領域を光吸収層に深く形成した構造により低電圧化を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
野口 一人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTT光エレクトロニクス研究所
-
湯田 正宏
NTT光エレクトロニクス研究所
-
村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
-
中島 長明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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