高速・低電圧Ti:LiNbO_3光変調器の提案
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概要
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40 Gbit/sクラスの光通信方式の実現を目指し, 各種高速デバイスの研究が進められている。我々は, 二段電極をもつリッジ形Ti:LiNbO_3光変調器を製作し, 半波長電圧:Vπ=2.9 V (@1.55μm)を実現した。ここでは, 高周波特性を損なうことなく, Vπをさらに低減できる構造を提案し, 数値解析により検討した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
三富 修
NTT光エレクトロニクス研究所
-
三冨 修
日本ガイシ(株)
-
野口 一人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
三冨 修
NTT光エレクトロニクス研究所
-
宮澤 弘
NTTフォトニクス研究所
-
野口 一人
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
三冨 修
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
宮澤 弘
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
三冨 修
電電公社
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