InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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アバランシェフォトダイオード(APD)は,一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし,信頼性を確保するため,素子内部にのみ電界を閉じ込める構造が必要である.これを実現するために,これまでにイオン注入や選択拡散など,複雑な作製工程を必要とする構造が提案されている.我々は,より簡易なプロセスでこの電界閉じ込めを実現可能な新構造のAPDを考案し,作製した素子で高い電界閉じ込め効果を確認するとともに,従来素子と比較して遜色ない特性を得た.
- 2011-01-20
著者
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
村本 好史
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
横山 春喜
日本電信電話
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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