低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用
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概要
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水ガラスを接着層として用いた化合物半導体に対する低温ウェーハボンディング技術を開発した。また、本ウェーハボンディング技術を, チャネルの上下にゲートを対向して配したペアゲートFETと集積化パッケージング技術に応用した.試作したAlGaAs/InGaAsペアゲートHFETは良好な静特性を示し, 上下のゲートが互いに独立してドレーン電流を制御可能であることを確認した.また, 集積化パッケージング技術では, サファイア基板上にUTC-PDとCPW線を集積し, 超高速電気信号を3mm以上波形劣化なく伝搬させることに成功した.これらは, 従来にないユニークなデバイス機能をもつものであり, 低温ウェーハボンディングにより初めて実現できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-01
著者
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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