LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
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概要
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高速無線LAN装置の送受切替、セクタ切替スイッチへの適用を想定して、19GHz帯GaAs MESFETスイッチICの検討を行なった。OFF容量Coffの原因となりスイッチ・オフ時のアイソレーション特性を劣化させる、FET寄生容量Cdsを低減するために、誘電体SiO2上に形成したFET (LOXI-MESFET) 構造を提案し、試作を行なった。このFETは、従来型と比べて遜色無いDC及び高周波特性を有し、OFF容量Coffが小さい特長を持つ。このため、準ミリ波帯スイッチにおける挿入損失とアイソレーション特性の両立が可能となる。試作したSPSTスイッチは、19GHzにおいて挿入損失0.5dB、アイソレーション23dB、SPDTスイッチは、挿入損失0.8dB、アイソレーション17dBの良好な特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-22
著者
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
Nttエレクトロニクス
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
神田 淳
Nttフォトニクス研究所
-
神田 淳
Nttワイヤレスシステム研究所
-
村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
児玉 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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