SOI-CMOS技術を用いたSi-MIMIC RFスイッチ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SOI技術と高抵抗シリコン基板の組み合わせにより、携帯電話の無線周波数帯においてシリコンCMOS MMIC SPDTスイッチで始めて、GaAs MMICスイッチに匹敵する低損失、高アイソレーション特性を実現した。本回路技術は、従来の汎用LSI製造と同一プロセスで作製されており、大幅な低コストの可能性を有している。また将来的には、他のSi RF回路やベースバンド回路との1チップLSI化も期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
関連論文
- 1993年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウ報告
- ポリイミド/アルミナセラミック多層基板を用いた無線アクセス用25GHz帯RFモジュールの検討
- K帯低損失高アイソレーション GaAs MMIC SPnTスイッチ
- 直列給電法による低消費電力低雑音増幅器
- 3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
- マスタスライス型3次元MMIC用CADによる回路設計とその応用
- マスタスライス型3次元MMIC用CADによる回路設計とその応用
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- デジタルフィルタを用いたDDSの検討
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MIMIC RFスイッチ
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- 拡張位相アキュムレータを用いたDDS
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- B-8-60 前方誤り訂正技術を用いたアイソレータレスEA-DFBモジュール(B-8.通信方式)