直列給電法による低消費電力低雑音増幅器
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概要
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HEMTは優れた雑音特性を有する反面, MESFET等に比べて最適なドレイン電圧が低いという問題があり, MESFET等と共通の電源を用いることが難しい。このため通常はシリーズレギュレータで電圧を下げて使用している。しかし, この方法では電圧低下分がそのまま無駄な消費電力となってしまうという問題があった。今回, 最適なドレイン電圧が1.5 VのHEMTによる2段増幅器を, MESFET等で用いられる3 Vの電源で動作させる方法として, 2つのHEMTのドレイン電圧を直列に供給する方法を検討した。この方法では, 電流パスが共通となるため, 並列に給電する場合に比べ, 全電流は半減する。ただし実際に良好な特性を得るためには, ドレイン電圧が1.5 V程度に等分配されるようにゲート電圧を設定する必要があり, ゲート電圧等の制御性についても検討を行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
中津川 征士
Nttワイヤレスシステム研究所
-
神田 淳
Nttフォトニクス研究所
-
神田 淳
Nttワイヤレスシステム研究所
-
井田 実
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
井田 実
NTTワイヤレスシステム研究所
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