K帯低損失高アイソレーション GaAs MMIC SPnTスイッチ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速無線LANのように準ミリ波帯以上の高い周波数を用いる無線通信システムでは、各RF回路に性能の余裕が無いため、RFスイッチの特性が通信品質に大きな影響を与える。ここでは、低挿入損失、高アイソレーション化を図るため、FET並列装荷型において、LC整合により、スイッチ全体として直列共振系となる構成の1対多端子(SPnT) GaAs MMICスイッチをK帯で検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
村口 正弘
Nttエレクトロニクス
-
中津川 征士
Nttワイヤレスシステム研究所
-
神田 淳
Nttフォトニクス研究所
-
神田 淳
Nttワイヤレスシステム研究所
-
村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
関連論文
- 22GHz帯1チップMMIC歪補償回路
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- TC-2-4 マルチメディアモバイルアクセスのためのマイクロ波回路技術
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- 1993年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウ報告
- 偶高調波ミキサ用2倍波抑圧フィルタ
- 次世代ワイヤレス通信に向けた回路・デバイス技術
- ポリイミド/アルミナセラミック多層基板を用いた無線アクセス用25GHz帯RFモジュールの検討
- K帯低損失高アイソレーション GaAs MMIC SPnTスイッチ
- オンウェハチューニング・ロードプルによる高出力増幅器の設計技術
- フィードフォワード制御型高効率線形電力増幅器
- 直列給電法による低消費電力低雑音増幅器
- ポリイミド/アルミナセラミック多層構造を用いた準ミリ波帯高周波ボードの基礎検討
- 多層構造を用いた対称型ブロードサイドカプラ
- 3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたMMIC化移相器
- ポリイミド多層構造を用いた直並列電力分配・合成器の新構成法
- 3次元MMIC構造を用いた広帯域0/π位相変調器
- 低損失アクティブインダクタの一構成法
- デジタル移動通信用高効率線形電力増幅器
- ドレイン接地FETを用いた位相歪補償電力増幅器に関する検討
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたX帯モノリシック移相器
- 可変周波数帯方向性結合器
- 非等幅カスコード接続FETの位相歪に関する検討
- E/D構成型L帯超低消費電力モノリシック低雑音増幅器
- λ/4スタブを用いた二周波数帯同時整合回路とMMIC広帯域(30-60 GHz)増幅器への応用
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- V帯送受信用MMIC
- MMICサンプリング位相検波器を用いたV帯MMIC位相同期発振器
- 位相同期V帯発振器用 MMIC
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- K帯アクティブインダクタ
- C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
- マスタスライス型3次元MMIC用CADによる回路設計とその応用
- マスタスライス型3次元MMIC用CADによる回路設計とその応用
- K帯低損失、高アイソレーションGaAs MMIC SPnTスイッチ
- PLL局発用Ka帯MMIC高調波発振器
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- デジタルフィルタを用いたDDSの検討
- C-2-17 共鳴トンネルHEMTの分周動作
- 共鳴トンネルHEMTを用いた高調波ミキサ
- 共鳴トンネルHEMTを用いたミキサ
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性の入力パワー依存性
- 共鳴トンネルHEMTを用いたサンプリング位相検出器
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MIMIC RFスイッチ
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- TC-1-4 多層セラミック/多層ポリイミド3次元実装技術
- RF帯マルチチップモジュール(MCM)の展望
- 拡張位相アキュムレータを用いたDDS
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- C-2-54 能動インダクタを用いた電力増幅器の歪補償に関する一検討
- カスコード接続FETを用いた定位相・可変利得増幅器
- 送信機相互変調歪を改善する増幅器の一構成法
- IF帯リミッタ増幅器の一構成法
- 低損失マイクロ波アクティブインダクタに関する一検討
- IF帯90゜分配・合成回路の一構成法
- 光制御MESFETの高効率に関する一検討
- B-8-60 前方誤り訂正技術を用いたアイソレータレスEA-DFBモジュール(B-8.通信方式)