E/D構成型L帯超低消費電力モノリシック低雑音増幅器

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概要

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新しい逓信サービスとしてパーソナルハシディフォンシステムが注目されている。このシステムに使用される携帯機では、小型、軽量、かつ長時間使用可能であることが求められる。携帯機の小型化・軽量化のためには電池の小型化・低電圧化が必須である。しかし、これによって電池の容量が減少するので、高周波回路はより一層の低消費電力化が必要である。さらに、ディジタル回路は低電圧化によって低消費電力化が可能であり、アナログ回路も同一の電源で動作するさせることが可能ならば大きなブレークスルーとなる。携帯機の低雑音増幅器に要求される性能は低電圧・低電流下での極限性能の追求であり、雑音特性、歪特性、利得の3者間のトレードオフの問題を効率的に解決する必要がある。今回の低雑音増幅器はエンハンスメントモードFET(EFET)とデブレッションモードFET(DFET)とのカスコード構成を用いることによって低雑音、高利得、低歪を同時に達成した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-26

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