3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
移相器はフェーズドアレイアンテナや歪補償回路等を構成するうえで極めて重要な回路である。モノリシック化したアナログ移相器では方向性結合器や可変リアクタンス回路に周波数に依存した帯域特性があるため,広帯域な特性の回路を実現することが離しい。今回,3次元MMIC化技術を用いて構成したブロードサイドカプラとTFMS線路を用いてモノリシック移相器の小型,広帯域化を検討し試作した結果,良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
村口 正弘
Nttエレクトロニクス
-
中津川 征士
Nttワイヤレスシステム研究所
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
-
井田 実
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
井田 実
NTTワイヤレスシステム研究所
-
村口 正弦
NTTワイヤレスシステム研究所
関連論文
- B-6-50 InP HEMT 4x4スイッチのプロテクションスイッチへの応用(B-6.ネットワークシステム,一般講演)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- C-2-21 二本の伝送線路を用いたK帯MMICアナログ移相器
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- TC-2-4 マルチメディアモバイルアクセスのためのマイクロ波回路技術
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- 1993年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウ報告
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 偶高調波ミキサ用2倍波抑圧フィルタ
- 次世代ワイヤレス通信に向けた回路・デバイス技術
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ポリイミド/アルミナセラミック多層基板を用いた無線アクセス用25GHz帯RFモジュールの検討
- K帯低損失高アイソレーション GaAs MMIC SPnTスイッチ
- オンウェハチューニング・ロードプルによる高出力増幅器の設計技術
- フィードフォワード制御型高効率線形電力増幅器
- 直列給電法による低消費電力低雑音増幅器
- ポリイミド/アルミナセラミック多層構造を用いた準ミリ波帯高周波ボードの基礎検討
- 多層構造を用いた対称型ブロードサイドカプラ
- 3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたMMIC化移相器
- ポリイミド多層構造を用いた直並列電力分配・合成器の新構成法
- 3次元MMIC構造を用いた広帯域0/π位相変調器
- 低損失アクティブインダクタの一構成法
- デジタル移動通信用高効率線形電力増幅器
- ドレイン接地FETを用いた位相歪補償電力増幅器に関する検討
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたX帯モノリシック移相器
- 可変周波数帯方向性結合器
- 非等幅カスコード接続FETの位相歪に関する検討
- E/D構成型L帯超低消費電力モノリシック低雑音増幅器
- λ/4スタブを用いた二周波数帯同時整合回路とMMIC広帯域(30-60 GHz)増幅器への応用
- 低電圧動作2GHz帯Siバイポーラ直交変調器
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- C-2-10 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- K帯アクティブインダクタ
- C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
- マスタスライス型3次元MMIC用CADによる回路設計とその応用
- マスタスライス型3次元MMIC用CADによる回路設計とその応用
- A-5-6 光CDMAにおける拡散符号方式の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- A-5-43 CDMAを用いた光マルチチャンネルアクセス技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- デジタルフィルタを用いたDDSの検討
- C-2-17 共鳴トンネルHEMTの分周動作
- 共鳴トンネルHEMTを用いた高調波ミキサ
- 共鳴トンネルHEMTを用いたミキサ
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性の入力パワー依存性
- 共鳴トンネルHEMTを用いたサンプリング位相検出器
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MIMIC RFスイッチ
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
- SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- A-5-10 光CDMAを利用した可視光通信システムのITSへの応用(A-5. ワイドバンドシステム,一般セッション)
- 位相面の対称性を利用したROMによる位相検出方法とそれを用いた85Mbit/s DQPSK変復調LSI(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- PHS用高周波回路技術 (パ-ソナルハンディホンシステム)
- A-5-1 光CDMAパケットのデータ部における低誤り率化の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)
- A-5-2 光CDMAにおいて符号同期を改善する両極性符号変換技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- TC-1-4 多層セラミック/多層ポリイミド3次元実装技術
- RF帯マルチチップモジュール(MCM)の展望
- 拡張位相アキュムレータを用いたDDS
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- C-2-1 複数の遅延発生器を用いた広帯域出力DDS
- 位相補間型DDSの広帯域化
- C-2-54 能動インダクタを用いた電力増幅器の歪補償に関する一検討
- カスコード接続FETを用いた定位相・可変利得増幅器
- 送信機相互変調歪を改善する増幅器の一構成法
- IF帯リミッタ増幅器の一構成法
- 高速無線LAN用MMICの開発
- 低損失マイクロ波アクティブインダクタに関する一検討
- IF帯90゜分配・合成回路の一構成法
- C-2-137 線形演算型アナログ乗算器の検討(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- RF直交アンダーサンプリング法によるスペクトラムセンシング技術の検討 (マイクロ波)
- C-2-102 RF直交アンダーサンプリング法によるスペクトラムセンシング技術の検討(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- RF直交アンダーサンプリング法によるスペクトラムセンシング技術の検討(一般)
- 光制御MESFETの高効率に関する一検討