低電圧動作2GHz帯Siバイポーラ直交変調器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では2Vまでの低電圧動作が可能な90°移相器内蔵の2GHz帯Siバイポーラ直交変調器について述べる。電流折返し型ダブルバランスミサキの考案により、トランジスタ縦積み段数を従来の3段から2段に減少させたので2V動作が可能となった。90°移相器はカットオフ周波数を可変できるRC, CR型で、0.8GHz〜2GHzの広い周波数範囲で動作する。f_Tが18GHzのSiバイポーラプロセスを用いて試作し、電源電圧2Vにおいて消費電力は68mWである。ローカル周波数が2GHzのときイメージレベルは-37dBcであり、1.6°の位相誤差に相当する。また、ローカルリーク、2次・3次歪ともに-40dBc以下と良好な結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-24
著者
-
石川 正幸
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弦
NTTワイヤレスシステム研究所
-
村口 正弘
NTT無線システム研究所
-
束原 恒夫
NTT無線システム研究所
-
石川 正幸
NTTLSI研究所
-
束原 恒夫
NTT入出力システム研究所
関連論文
- B-6-50 InP HEMT 4x4スイッチのプロテクションスイッチへの応用(B-6.ネットワークシステム,一般講演)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- C-2-21 二本の伝送線路を用いたK帯MMICアナログ移相器
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- TC-2-4 マルチメディアモバイルアクセスのためのマイクロ波回路技術
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ワイヤレス通信に向けた回路・デバイス技術
- 2V,2GHz,低電力DDSチップセット
- 2V、2GHz、低電力DDSチップセット
- フィードフォワード制御型高効率線形電力増幅器
- ポリイミド/アルミナセラミック多層構造を用いた準ミリ波帯高周波ボードの基礎検討
- 3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたMMIC化移相器
- ポリイミド多層構造を用いた直並列電力分配・合成器の新構成法
- 3次元MMIC構造を用いた広帯域0/π位相変調器
- 低損失アクティブインダクタの一構成法
- デジタル移動通信用高効率線形電力増幅器
- ドレイン接地FETを用いた位相歪補償電力増幅器に関する検討
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたX帯モノリシック移相器
- 可変周波数帯方向性結合器
- 非等幅カスコード接続FETの位相歪に関する検討
- E/D構成型L帯超低消費電力モノリシック低雑音増幅器
- λ/4スタブを用いた二周波数帯同時整合回路とMMIC広帯域(30-60 GHz)増幅器への応用
- 低位相偏差2GHz, 60dBダイナミックレンジSi Log/リミッタアンプ
- 低位相偏差2GHz, 60dBダイナミックレンジSi Log/リミッタアンプ
- 低位相偏差2GHz, 60dBダイナミックレンジSi Log/リミッタアンプ
- 高速無線アクセス用シリコンLSIの開発
- 2V,10bit低電力ビデオ帯D/A変換器
- 低電圧動作2GHz帯Siバイポーラ直交変調器
- ビデオ帯CMOS A-D変換LSI (A-D,D-A変換LSI)
- アナログ・ディジタル混載LSIに適したCMOSコンパレ-タ
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- C-2-10 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- K帯アクティブインダクタ
- A-5-6 光CDMAにおける拡散符号方式の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- A-5-43 CDMAを用いた光マルチチャンネルアクセス技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- デジタルフィルタを用いたDDSの検討
- C-2-17 共鳴トンネルHEMTの分周動作
- 共鳴トンネルHEMTを用いた高調波ミキサ
- 共鳴トンネルHEMTを用いたミキサ
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性の入力パワー依存性
- 共鳴トンネルHEMTを用いたサンプリング位相検出器
- デリバリスイッチLSIの高アイソレーション化に関する検討
- A-5-10 光CDMAを利用した可視光通信システムのITSへの応用(A-5. ワイドバンドシステム,一般セッション)
- 位相面の対称性を利用したROMによる位相検出方法とそれを用いた85Mbit/s DQPSK変復調LSI(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- PHS用高周波回路技術 (パ-ソナルハンディホンシステム)
- A-5-1 光CDMAパケットのデータ部における低誤り率化の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)
- MOSFET/SOI技術を用いた2GHz帯及び4-6GHz帯低雑音アンプ
- A-5-2 光CDMAにおいて符号同期を改善する両極性符号変換技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- TC-1-4 多層セラミック/多層ポリイミド3次元実装技術
- RF帯マルチチップモジュール(MCM)の展望
- 拡張位相アキュムレータを用いたDDS
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- C-2-1 複数の遅延発生器を用いた広帯域出力DDS
- 位相補間型DDSの広帯域化
- C-2-54 能動インダクタを用いた電力増幅器の歪補償に関する一検討
- カスコード接続FETを用いた定位相・可変利得増幅器
- 送信機相互変調歪を改善する増幅器の一構成法
- IF帯リミッタ増幅器の一構成法
- 高速無線LAN用MMICの開発
- 低損失マイクロ波アクティブインダクタに関する一検討
- IF帯90゜分配・合成回路の一構成法
- C-2-137 線形演算型アナログ乗算器の検討(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- 高速無線アクセス用GHz帯IF Siチップセットと誘電体ロールオフフィルタ
- 高速無線アクセス用GHz帯IF Siチップセットと誘電体ロールオフフィルタ
- 高速無線アクセス用GHz帯IF Siチップセットと誘電体ロールオフフィルタ
- RF直交アンダーサンプリング法によるスペクトラムセンシング技術の検討 (マイクロ波)
- C-2-102 RF直交アンダーサンプリング法によるスペクトラムセンシング技術の検討(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- 2GHz帯低歪みリング発振器
- 2GHz帯 低歪みリング発振器
- RF直交アンダーサンプリング法によるスペクトラムセンシング技術の検討(一般)