SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ
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概要
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SOI技術と高抵抗シリコン基板の組み合わせにより、携帯電話の無線周波数帯においてシリコンCMOS MMIC SPDTスイッチで始めて、GaAs MMICスイッチに匹敵する低損失、高アイソレーション特性を実現した。本回路技術は、従来の汎用LSI製造と同一プロセスで作製されており、大幅な低コストの可能性を有している。また将来的には、他のSi RF回路やベースバンド回路との1チップLSI化も期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
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