ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
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概要
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チャネルの上下にゲートを配したペアゲート電界効果形トランジスタ(FET)を提案し、実験的に検討した。素子試作には低温ウエハボンディング技術を用い、ペアゲートAlGaAs / InGaAsへテロ構造FETを3インチウエハ上に作製することに成功した。試作素子の相互コンダクタンスの最大値は240mS / mmであった。また、上下のゲートが互いに独立してドレイン電流を制御できることを確認し、2ゲート入力や可変閾値動作の見通しを得た。また、ペアゲートFETは、通常の片側ゲートFETと比較して、高い相互コンダクタンス、低いソース-ドレイン間容量、良好な閾値近傍特性という特徴がもつことから、将来のマイクロ波、もしくはデジタル回路における新しい基本素子としての可能性が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
Nttエレクトロニクス
-
伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
-
神田 淳
Nttフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
児玉 聡
NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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