児玉 聡 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 児玉 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 児玉 聡

  Ntt フォトニクス研

• 村本 好史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 弘

  北里大学自然科学教育センター

• 村本 好史

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 吉松 俊英

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村本 好史

  Nttフォトニクス研究所

• 吉松 俊英

  Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社

• 吉松 俊英

  Nttフォトニクス研究所

• 吉松 俊英

  日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所

• 吉松 俊英

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索

• 伊藤 弘

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 村本 好文

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村本 好史

  Ntt フォトニクス研

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 古田 知史

  NTTフォトニクス研究所

• 村口 正弘

  Nttエレクトロニクス

• 神田 淳

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 吉野 薫

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 名田 允洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 名田 允洋

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 石橋 忠夫

  Nttエレクトロニクス

• 石橋 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 児玉 聡

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 弘

  東京大学大学院農学生命科学研究科

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 石橋 忠夫

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス

• 神田 淳

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 村口 正弘

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 石橋 忠夫

  NTTフォトニクス研究所

• 児玉 聡

  NTTフォトニクス研究所

• 古田 知史

  Ntt フォトニクス研

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 弘

  NTTフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  Nttフォトニクス研究所

• 渡邊 則之

  Nttフォトニクス研究所

• 中島 史人

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 入戸野 巧

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大野 哲一郎

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 則之

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• 清水 直文

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 大野 哲一郎

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 清水 達也

  日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所

• 中村 誠

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 武藤 美和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 綱島 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 結城 直彦

  日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話(株)ntt Lsi研究所

• Hyundai Park

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California Santa Barbara

• 渡邊 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 廣田 幸弘

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス

• 中村 誠

  Nttフォトニクス研究所

• 村口 正弘

  NTT未来ねっと研究所

• Bowers John

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California Santa Barbara

• Bowers John

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California

• Fang Alexander

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California Santa Barbara

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 神田 淳

  NTT未来ねっと研究所

• 廣田 幸弘

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 綱島 聡

  NTTフォトニクス研究所

• 永田 公一

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• 清水 達也

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 石橋 忠夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 結城 直彦

  日本電信電話株式会社 アクセスサービスシステム研究所

• 綱島 聡

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 武藤 美和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 清水 達也

  日本電信電話株式会社 日本未来ねっと研究所

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著作論文

• C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
• C-4-1 Si導波路と化合物半導体MQW層を融合したレーザダイオードの提案(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
• C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• 光通信技術の基礎--原点を見直し,将来を考える(第3回)フォトダイオード--研究開発の歴史と今後の展開
• C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
• C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-34 モノリシックPD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• B-10-120 モノリシック集積化 PD-EAM による光サンプリング
• C-3-2 モノリシック PD-EAM 光ゲート素子による 320Gbit/s DEMUX エラーフリー動作
• 低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用
• InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 単一走行キャリア・フォトダイオード
• C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-14 高感度APD-ROSAの25-/40-Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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