光通信技術の基礎--原点を見直し,将来を考える(第3回)フォトダイオード--研究開発の歴史と今後の展開

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 児玉 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 児玉 聡

  Ntt フォトニクス研

• 石橋 忠夫

  Nttエレクトロニクス

関連論文

• BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
• C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
• C-4-1 Si導波路と化合物半導体MQW層を融合したレーザダイオードの提案(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
• ミリ波サブキャリア光の検波実験
• BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
• C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• C-14-10 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いたTHz波の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス)
• C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 超高速40Gbit/s半導体光変調器(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• C-4-41 40Gbit/s InP系n-i-n構造MZ変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効果と高周波応答
• InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
• InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
• InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
• ファイバ中で発生するSC光を用いて評価したInP/InGaAs UTC-PDの1.55-1.7μmでの量子効率
• 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いた識別回路直接駆動型40Gbit/s高感度受信回路
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
• BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
• 光通信技術の基礎--原点を見直し,将来を考える(第3回)フォトダイオード--研究開発の歴史と今後の展開
• C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
• C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-34 モノリシックPD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• B-10-120 モノリシック集積化 PD-EAM による光サンプリング
• C-3-2 モノリシック PD-EAM 光ゲート素子による 320Gbit/s DEMUX エラーフリー動作
• 3 単一走行キャリア・フォトダイオード
• n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発
• 超広帯域光送受信デバイス (特集論文 テラビット通信技術への挑戦)
• AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
• 低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用
• InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 単一走行キャリア・フォトダイオード
• C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-14 高感度APD-ROSAの25-/40-Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク