重川 直輝 | Ntt フォトニクス研
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概要
関連著者
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
宝川 幸司
神奈川工科大工学部
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
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Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
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西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西村 一巳
NTTフォトニクス研
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
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村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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児玉 聡
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村本 好史
Ntt フォトニクス研
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兼城 千波
神奈川工科大学工学部
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兼城 千波
神奈川工科大・工
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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黄 啓新
神奈川工科大学工学部
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黄 啓新
神工大工学部
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黄 啓新
神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科
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Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
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黄 啓新
神奈川工科大学
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末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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水澤 貴洋
神奈川工科大学工学部
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横田 学
神奈川工科大学工学部
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和田 雅哉
神奈川工科大学工学部
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水澤 貴洋
神工大工学部
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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和田 雅哉
神奈川工科大・工
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重川 直輝
NTT先端技術総合研究所
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
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杉田 憲一
福井大学工学部
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山本 〓勇
福井大学工学部
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大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
Ntt
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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吉野 薫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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橋本 明弘
福井大学工学部
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橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
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山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
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西村 一巳
NTT LSI研究所
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塩島 謙次
NTT LSI研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
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杉田 憲一
福井大学
-
山本 〓勇
福井大学
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西村 一巳
Ntt
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三原 章宏
福井大学工学部
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Bhuivan Ashraful
福井大学工学部
-
Bhuiyan Ashraful
福井大学工学部
著作論文
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
- 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)