SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
NTT先端技術総合研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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