KOHエッチングしたGaN表面のAFM,及びTEM観察
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概要
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KOHエッチングによりGaN表面に形成されたエッチピットをAFM,及びTEMにより観察した。エッチング前のGaN表面は原子レベルで平坦で、混合転位に起因する密度3.1×10^8cm^<-2>の暗点が観測された。エッチング後は混合転位が観測されず、替わりに同じ密度の六角錐状のエッチピットがみられた。平面、及び断面TEM観察から、ピットの頂点で転位が終端しており、その転位の起因は混合転位であることを明らかにした。本検討の結果、KOHエッチングとAFMの併用は簡易的な転位の観察法として有効であることが分かった。
- 1999-10-22
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