金属/p-GaN電極界面の電流輸送機構の理解
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
-
p形GaNショットキー接触の障壁高さ
-
ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
-
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
-
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
-
高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価
-
昇華法によるバルクGaNの核発生制御
-
昇華法によるバルクGaNの核発生制御
-
GaAs中転位の動的観察と転位操作
-
ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
-
ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
-
CL法による窒化物半導体の転位特性の評価
-
変調ドープGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造のエネルギー損失スペクトル
-
選択MOCVD成長によるSi基板上微小溝でのGaAsの埋め込みパターンの理論的考察
-
C-6-5 六方晶系 GaNAs 規則合金のバンド構造の解析
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
-
p-GaNショットキー接触のICTS評価
-
耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
-
青色発光ダイオードの研究開発動向と紫外線発光ダイオードの実用化技術--窒化物系LEDの動作原理と最近の研究開発動向について解説する (特集2 青色&高輝度発光デバイスの応用開発動向)
-
C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
-
A Novel Method of Bulding a Compositional Non-Uniformity in an InGaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
-
金属/p-GaN電極界面の電流輸送機構の理解
-
GaN系結晶のバルクおよびエピタキシャル成長 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
-
ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
-
Ni/p-GaNショットキー接触のメモリー効果
-
GaNバルク結晶成長とホモエピタキシー : バルク成長シンポジウム
-
LEDの動作原理と材料 (可視発光ダイオードの進展)
-
InGaN/GaN結晶のホモエピタキシャル成長及びヘテロエピタキシャル成長の研究
-
InGaN/GaN結晶のホモエピタキシャル成長及びヘテロエピタキシャル成長の研究
-
GaNバルク結晶の育成とデバイス応用への展望
-
昇華法によるGaN単結晶育成(バルク窒化物半導体)
-
2-8 LEDディスプレイ(情報化社会を演出するディスプレイ)
-
格子不整合を考慮したGaN/GaP超格子のバンド構造
-
GaNの電流制御型LPE法による成長
-
シリコン上集積化光源 ( 光応用技術 3.)
-
SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護効果 : 熱処理損傷の回復
-
0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
-
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
-
埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
-
チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
-
微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
-
チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
-
微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
-
CS-9-6 GaN電子デバイスの開発動向、今後の展開、技術課題(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
-
GaN 系電子デバイス作製技術
-
窒化物半導体国際ワークショップ (IWN2000) 報告
-
SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
-
Optical and Electrical Properties(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
-
Si基板上のGaAsの熱歪み
-
KOHエッチングしたGaN表面のAFM,及びTEM観察
-
KOHエッチングしたGaN表面のAFM,及びTEM観察
-
SC-6-1 電子デバイス開発に向けたGaN結晶の評価
-
GaN系半導体の結晶評価とデバイス作製技術(第47回物性若手夏の学校(2002年度),講義ノート)
-
ワイドギャップ半導体材料の特徴 : 電子デバイス開発の観点から
-
SC-5-4 GaNショットキー電極の電気的特性、および耐熱性
-
p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
UV-LED(紫外線発光ダイオード)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク