UV-LED（紫外線発光ダイオード）
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p形GaNショットキー接触の障壁高さ
- ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価
- 昇華法によるバルクGaNの核発生制御
- 昇華法によるバルクGaNの核発生制御
- GaAs中転位の動的観察と転位操作
- ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CL法による窒化物半導体の転位特性の評価
- 変調ドープGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造のエネルギー損失スペクトル
- 選択MOCVD成長によるSi基板上微小溝でのGaAsの埋め込みパターンの理論的考察
- C-6-5 六方晶系 GaNAs 規則合金のバンド構造の解析
- p-GaNショットキー接触のICTS評価
- 青色発光ダイオードの研究開発動向と紫外線発光ダイオードの実用化技術--窒化物系LEDの動作原理と最近の研究開発動向について解説する (特集2 青色&高輝度発光デバイスの応用開発動向)
- A Novel Method of Bulding a Compositional Non-Uniformity in an InGaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- 金属/p-GaN電極界面の電流輸送機構の理解
- GaN系結晶のバルクおよびエピタキシャル成長 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
- Ni/p-GaNショットキー接触のメモリー効果
- GaNバルク結晶成長とホモエピタキシー : バルク成長シンポジウム
- LEDの動作原理と材料 (可視発光ダイオードの進展)
- InGaN/GaN結晶のホモエピタキシャル成長及びヘテロエピタキシャル成長の研究
- InGaN/GaN結晶のホモエピタキシャル成長及びヘテロエピタキシャル成長の研究
- GaNバルク結晶の育成とデバイス応用への展望
- 昇華法によるGaN単結晶育成(バルク窒化物半導体)
- 2-8 LEDディスプレイ(情報化社会を演出するディスプレイ)
- 格子不整合を考慮したGaN/GaP超格子のバンド構造
- GaNの電流制御型LPE法による成長
- シリコン上集積化光源 ( 光応用技術 3.)
- 窒化物半導体国際ワークショップ (IWN2000) 報告
- Optical and Electrical Properties(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- Si基板上のGaAsの熱歪み
- UV-LED（紫外線発光ダイオード）