昇華法によるバルクGaNの核発生制御

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概要

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• 様々な基板に対して昇華法によるGaN結晶成長を試み, 核発生密度を調べた. SiO_2およびSi (111) 上では核密度が6×10^3/cm^2であったのに対しサファイア上では1.4×10^5/cm^2, 傷つけ処理をしたサファイアおよびMOCVD-GaN上では連続膜が得られた. SiO_2で一部マスクされた傷つけ処理をしたサファイアおよびMOCVD-GaNを用いて, 昇華法によるバルク結晶の核発生の制御を行った. 径方向約200μm, 高さ約200μmの六角柱状の結晶がSiO_2マスクの窓部に均一に成長した. 結晶の径は窓の径よりも非常に大きかった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-01-16

著者

• 酒井 士郎

  徳島大学工学部

• 酒井 士郎

  徳島大 工

• 倉井 聡

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 西野 克志

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 和田 康一

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 西野 克志

  徳島大学工学部

• 酒井 士郎

  徳島大学

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