ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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ナノインプリント技術および反応性イオンエッチング(RIE)を用いて,p-GaN上に正三角形状に配置した周期的円柱パターンを4種類形成した.GaNに対する反応ガスはBCl_3およびCl_2を用い,Niに対する反応ガスはArを用いた.ナノ構造の直径/周期(m)/高さは135nm/200nm/96nm,184nm/297nm96nm,232nm/395nm/103nm,284nm/498nm/103nmであった.これらナノ構造を有する試料に電極をつけ,発光特性を調べると,中心発光波長415nmの光に対して,周期(m)200nm,297nmでは,120°対称の光の筋が得られ,周期(m)395では,60°対称の光の筋が得られ,周期(m)498nmでも対称的な光の筋が得られた.この光の筋はGaN中における光の半波長の整数倍になる周期の方向と一致した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
直井 美貴
徳島大学工学部
-
酒井 士郎
徳島大学工学部
-
張 晶
徳島大学電気電子工学科
-
酒井 士郎
徳島大 工
-
遠野 充明
徳島大学
-
和地 順蔵
SCIVAX株式会社
-
酒井 士郎
徳島大学
-
直井 美貴
徳島大学
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