選択MOCVD成長によるSi基板上微小溝でのGaAsの埋め込みパターンの理論的考察

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概要

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Si基板上微小溝へのGaAsの選択MOCVD成長を行った場合の埋め込みパターンの平坦化について議論する。KOHにより、SiO_2をマスクとして面方位(100)のSi基板にさまざまな深さの溝を作製し、GaAsの選択MOCVD成長を行った。また、表面拡散方程式を用いることにより、溝部での成長速度を計算した。その結果、原料種のマイグレーション長および溝の底面が大きいほど、埋め込みパターンが平坦化することが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-12-15

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