p形GaNショットキー接触の障壁高さ

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概要

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• Mgドーピング量を低下させることにより、障壁の高いp-GaNショットキー接触を実現した。Mgドーピング量1.3×10^<18>cm^-3で、原子レベルで平坦な表面、低転位密度(5.5×10^8cm^-2)な結晶が得られた。この基板上に形成したNi電極は漏れ電流の少ないショットキー特性を示した。電流一電圧特性より、障壁高さ2.4±0.2eV、n値1.84±0.06が得られた。この値はn-GaNの障壁高さから予想される値に一致する。電圧一容量測定から、キャリア濃度4×1O^<16>cm^-3が得られ、活性化率は3%であった。また、空乏層容量の過渡応答も観測され、深い準位の存在を示唆した。

• 1999-04-22

著者

• 酒井 士郎

  徳島大学工学部

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所

• 菅原 智也

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 酒井 士郎

  徳島大 工

• 菅原 智也

  徳島大・工・電気電子

• 塩島 謙次

  Ntt フォトニクス研究室

• 酒井 士郎

  徳島大学

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