格子不整合を考慮したGaN/GaP超格子のバンド構造
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概要
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GaNP混晶は青色発光素子の活性層材料として有望であるが、その成長は困難である。我々は混晶にかわる新しい材料としてGaN, GaP単原子層超格子を提案している。GaNとGaPの間には20%の格子不整合があり、ヘテロ接合界面に大きな格子歪と応力が存在する。そこで、GaN/GaP界面での結晶格子の歪および対応する応力を計算した結果、無転移の状態で、格子定数は最大15%程度変化し、2〜60GPaの非常に大きな応力が存在することがわかった。この結果をもとに格子歪を取り入れたsp^3s^*強結合法により(GaN)n/(GaP)8-n[100]単原子層超格子の直接ギャップおよび間接ギャップを計算した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-15
著者
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