ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
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概要
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金属/n, p-GaN界面の電気的特性をI-V, C-V測定およびI-V-Tシミュレーションにより評価した。金属/n-GaN界面において報告されているショットキー障壁高さやリチャードソン定数のばらつき、障壁高さに対するI-V, C-V測定結果の差異、I-Vショルダーの出現は、障壁高さの不均一性の存在、すなわち、"パッチモデル"によって説明されることを示した。また、金属/GaN界面のフェルミ準位位置について、金属/n, p-GaNショットキー試料のI-V-T特性の測定から、n形およびp形ショットキー障壁高さの和、φ_<bn>+φ_<bp>、がGaNのバンドギャップに近い値となることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
-
酒井 士郎
徳島大学工学部
-
酒井 士郎
徳島大 工
-
澤田 孝幸
北海道工業大学
-
今井 和明
北海道工業大学
-
木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
-
今井 和明
北海道工業大学創生工学部
-
伊藤 友二
北海道工業大学
-
伊藤 友二
北海道工業大学応用電子工学専攻
-
酒井 士郎
徳島大学
-
木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
-
木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
-
Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
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